Европейские ученые сконструировали «монорельсовую дорогу» из одной нанотрубки, перевозящей кусочек металла на расстояние около 800 нанометров.

Научный совет РАН по научному приборостроению, Компания «И.

Как сообщает A. Braun, старший редактор Semiconductor International [1], исследовательская группа Гарвардского университета (Harvard University, Cambridge, Массачусеттс, США), возглавляемая проф.

Процессор, производимый с соблюдением норм 45-нм техпроцесса, вызывает у потребителя если не восхищение, то уважение так точно, уважение к разработчику, который смог воплотить в кремнии свои идеи.

Исследователи Индийского института науки (Indian Institute of Science) в Бангалоре разработали простой и дешевый способ получения упорядоченных массивов многостенных углеродных нанотрубок (MWCNT), основанный на пиролизе.

Принято считать, что кремний как материал электроники во всем уступает соединениям А₃В₅, кроме цены. В новой отрасли электроники – спинтронике – положение может измениться.

IBM и ее партнеры (Infineon Technologies AG, Мюнхен, ST Microelectronics NV, Женева, Chartered Semiconductor Manufacturing, Сингапур, Freescale Semiconductor Inc., Остин, Техас, Samsung Electronics, Сеул и Toshiba Corporation, Токио) по международной гонке за 32-нм чипы официально заявили об успе

Молекулярное производство (МП) будет значительным технологическим прорывом, сравнимым, возможно, с индустриальной революцией, однако сжатым во времени до нескольких лет.

Сегодня, 15 апреля, состоялось заседание Правительственного совета по нанотехнологиям под председательством первого вице-премьера Сергея Иванова.

Завершился этап регистрации участников Второй Интернет-олимпиады по нанотехнологиям «Нанотехнологии – прорыв в будущее!» (e-NANOS'08), проводимой под эгидой Московского государственного университета им. Ломоносова.

По мнению исследователей, такое предупреждение должно быть вписано в этикетку, прилагаемую к потребительским товарам, изготавливаемым с применением нанотехнологий.

Неизовалентные примесные атомы вводят в полупроводники намеренно, с целью изменения электронных и оптических характеристик.

В обзорной статье Дудина и Вирэ [1] рассматриваются различные экспериментальные возможности формирования баллистических магнитных наноконтактов вплоть до одного атома в контакте.