Ученые из Университета Принстона (Princeton University) разработали простой метод создания наноразмерных шаблонов на шероховатых поверхностях без обычных жестких требований к отсутствию вибрации и кислорода при производств

В соответствии с обсуждением проблем «нанообразования» на конференции НАНО-2007 и рекомендациями конференции НАНО-2008 (Россия-Украина-Беларусь) "факультет на

Нанотехнологии получили новый высокоточный инструмент – ученые из Великобритании создали новый тип оптического пинцета, способного захватывать и перемещать объекты в наноразмерном диапазоне длин. Это открытие позволит также более бережно манипулировать отдельными живыми клетками, что, несомненно, будет полезно ученым-цитологам.

Китайская компания Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC, Шанхай) заявила о своих планах приступить во второй половине 2009 г.

Freescale Semiconductor рассматривает магнитную память (MRAM) как альтернативу сегодняшним полупроводниковым динамической (DRAM) и флэш оперативной памяти.

Так называемые «зеленые идеи» в настоящее время очень популярны, не только из-за многочисленной рекламы и заявлений, что экологично – значит модно, но и из-за того, что в скором будущем у человечества

Компания Nvidia запустила производство видеокарт GeForce GTX 280 и GeForce GTX 260. Известно, что они созданы на базе нового графического процессора GT200, выполненного по 65-нанометровому технологическому процессу.

Эра 450-мм подложек уже началась, хотя пока не ясно, не приведет ли она к банкротству производителей оборудования для полупроводниковой технологии (см., например, Nanonewsnet.ru)

Правительство ОАЭ в рамках Masdar Initiative инвестирует 2 млрд. долларов в тонкопленочную фотовольтаическую солнечную технологию [1].

Intel Corp. и Micron Technology Inc. заявили о создании совместного предприятия IM Flash Technologies для разработки и производства 32-Гб флэш памяти в рамках 34-нм технологии на 300-мм подложках.

Швейцарскими учеными впервые получены доказательства неклассического оптического излучения углеродной нанотрубки.

В последнее время все чаще появляются сообщения об управлении магнитным состоянием вещества с помощью электрического поля без привлечения токов, а значит, без омических потерь.

Эксперименты по фотоэмиссии с угловым разрешением (ARPES) свидетельствуют о наличии в ВТСП излома (“кинка”) в законе дисперсии элементарных возбуждений при энергии (50 ÷ 80) мэВ [1,2].

11 июня 2008 года состоялся визит ГК «Роснанотех» во главе с Генеральным Директором Леонидом Меламедом в Научный центр РАН в Черноголовке.