Freescale продвигает запоминающие устройства на основе магниторезистивного эффекта (MRAM)

-->

Freescale Semiconductor рассматривает магнитную память (MRAM) как альтернативу сегодняшним полупроводниковым динамической (DRAM) и флэш оперативной памяти. MRAM обещает энергонезависимость при большем быстродействии и при более низкой потребляемой мощностью. Наряду с Freescale, MRAM включили в свои разработки NEC, Renesas и Toshiba.

Пожалуйста, оцените статью:
Пока нет голосов
Источник(и):

eeTimes