Министерство образования и науки Российской Федерации представило российские технологии и инновационные проекты университетов и научно-производственных компаний на 73-й Международной технической ярмарке International Technical Fair 2017. Это одно из крупнейших выставочных мероприятий в Юго-Восточной Европе, которое является точкой экономического роста и развития международного сотрудничества в промышленной сфере

Демонстрируемый в последние годы экономический рост болгарского рынка наукоемких технологий и политическая стабильность делают Болгарию перспективным партнером товарного и технологического обмена.

Организованная в рамках ярмарки комплексная экспозиция Минобрнауки России продемонстрировала решения в областях: интеллектуальное машиностроение, энергоэффективность, биотехнологии и экология, информационные технологии, строительство. Приоритетами демонстрации разработок стали результаты научных исследований российских вузов в стадии готовности к внедрению и организации совместного производства.

С рабочими визитами экспозицию посетили Посол Российской Федерации в Республике Болгария Анатолий Макаров, первый секретарь Посольства России в Республике Болгарии Роберт Шестаков, руководитель Представительства Россотрудничества в Болгарии Павел Журавлев, торговый представитель России в Болгарии Игорь Илингин, эксперт Управления внешнеэкономических связей Министерства экономики Болгарии Бойко Георгиев.

Совместная деловая активность делегации Минобрнауки России, российских дипломатических и бизнес-структур позволили получить широкое признание экспозиции министерства со стороны экспертного сообщества и завоевать 14 золотых медалей и дипломов, что составило 38% от общего количества медалей конкурса и составило абсолютный рекорд среди участников.

Делегацию от МИФИ представил аспирант ИНТЭЛ Роман Захарченко с разработкой «Мощный сверхвысокочастотный транзистор на основе нитрида галлия» (Патент РФ №2581726). Экспертная комиссия высоко оценила представленную разработку и отметила ее золотой медалью.

Устройство предназначено для использования в приборах радиосвязи, энергетики, бортовой аппаратуре космических аппаратов, а также объектах с повышенным уровнем радиации. Для решения задачи повышения мощности транзистора предложен теплораспредлительный слой на рабочей поверхности прибора, позволяющий заметно снизить температуру в канале устройства и улучшить тем самым его функциональные характеристики.

«Была решена задача о влиянии теплового распределительного слоя на температуру и вольтамперные характеристики нитридгаллиевых транзисторов с высокой подвижностью электронов. Изучен механизм возникновения пиков электронной и решеточной температур, т.н. горячих точек», – отметил Роман Захарченко.