Компании Toshiba и Canon сообща займутся разработкой флеш-памяти NAND следующего поколения, при производстве которой будет применяться 15-нм технология. Об этом сообщает DigiTimes, ссылаясь на информацию, полученную от японских источников.

Отмечается, что

партнёры намерены задействовать так называемую нанопечатную литографию (Nanoimprint Lithography). Эта методика предназначена для переноса изображения наноструктуры или электронной схемы на подложку с покрытием. Технология предусматривает деформацию покрытия штампом с последующим травлением деформированного покрытия и формированием на подложке наноструктуры или элементов схемы.

С помощью нанопечатной литографии можно получать наноструктуры размером менее 10 нм на достаточно больших площадях, что недоступно для всех других методов литографии.

Научно-исследовательские работы будут производиться на заводе Toshiba в городе Йоккаити в префектуре Миэ (Япония).

Массовое производство 15-нанометровой флеш-памяти NAND запланировано на 2015 год.

Рис. 1.

Добавим, что

на днях Toshiba заявила о разработке самого быстрого в мире контроллера для встраиваемой NAND-памяти. Утверждается, что флеш-модуль с новым контроллером обеспечивает на порядок более высокую производительность по сравнению с традиционными eMMC-картами.