RRAM придёт только с 11 нм техпроцесcом

Европейский научно-исследовательский консорциум IMEC, чья штаб-квартира располагается в Бельгии, является одним из ведущих мировых центров в области исследования наноэлектроники и нанотехнологий. Лайт Алтимайм (Laith Altimime) – руководитель одной из научных программ IMEC, занимающейся разработками в области компьютерной памяти, озвучил своё видение грядущих перемен в индустрии твёрдотельных накопителей. В частности, его прогнозы касались вопросов перехода к использованию перспективной памяти на мемристорах (RRAM), которая, согласно заявлениям Hewlett Packard должна будет в ближайшее время заменить flash.

По словам Алтимайма, будет очень удивительно, если HP удастся сдержать свои обещания, потому как данная технология, на сегодняшний день, не настолько хорошо отработана, и самой IMEC не удалось заставить корректно работать обширные массивы RRAM. Тем не менее, он признаёт, что за мемристорами будущее, однако переход к ним будет не настолько резким, как это утверждает HP.

В ближайшее время, согласно Алтимайму, большинство фирм-производителей твёрдотельных накопителей перейдёт к так называемой «трёхмерной» памяти, подразумевающей использование 3d-каркаса, обрабатываемого по технологии SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon), совместимого с памятью NAND. При этом, вариантов структуры компоновки накопителя будет несколько, в зависимости от производителя устройства.

Что касается перехода на RRAM, то он станет реальностью, только когда индустрия полупроводников хорошо освоит 11 нм техпроцесс; то есть не ранее 2015 года (по прогнозам Intel). IMEC является авторитетной фигурой на рынке памяти.

С этой организацией ведут сотрудничество Elpida, Hynix, Micron, Samsung и другие производители. Время покажет, стоит ли прислушиваться к осторожным прогнозам её специалистов, или же можно верить смелым заявлениям HP, потому как очень сложно сказать, какие козыри на руках у последней.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.7 (9 votes)
Источник(и):

1. overclockers.ru