Учёные Московского института электронной техники (МИЭТ) и Московского педагогического государственного университета (МПГУ) вместе с другими российскими учеными создали чип для разработки фотонных схем нового поколения. Специалисты утверждают, что разработанная технология по изготовлению энергонезависимых перестраиваемых нанофотонных чипов готова к внедрению в микроэлектронное производство без дополнительных модернизаций.

«В разработанном нами чипе поверхность кольцевых микрорезонаторов из нитрида кремния локально покрыта тонкой пленкой GST. Изменение фазового состояния покрытия GST и, следовательно, его поглощения, приводит к изменению проходящего через волновод оптического сигнала. Переключение фазовых состояний можно инициировать лазерными импульсами, проходящими через волновод», – рассказал старший научный сотрудник Института перспективных материалов и технологий НИУ МИЭТ Петр Лазаренко.

Переключение фазовых состояний происходит за 10 наносекунд, а пленка GST является одним из самых оптимальных материалов для управления сигналами в тонкопленочных волноводных элементах, которые применяются в телекоммуникационных устройствах.

Сейчас научный коллектив оптимизирует чип для повышения числа записываемых логических уровней. Также исследовательская группа вырабатывает подходы к конструированию новых интегрально-оптических схем и систем на их основе.