Международный центр наноархитектоники материалов (WPI-MANA) Национального Института материаловедения (NIMS) синтезировал самые эффективные диэлектрические нанопленки, базирующиеся на атомарно тонких слоях перовскитов. [intro]

Продемонстрированная коллективом японских учёных под руководством директора WPI-MANA, Такаёши Сасаки (Takayoshi Sasaki) уникальная методика позволяет точно контролировать толщину плёнки high-κ диэлектрика, наращивая её с шагом ~0,4 нм (толщина одного слоя перовскита).

Варьируя параметры перовскитной гетероструктуры авторы смогли довести диэлектрическую постоянную нанопленки до абсолютного максимума среди всех известных диэлектриков толщиной менее 10 нм. В сочетании с толщиной молекулярного уровня это обеспечило беспрецедентно высокую ёмкостную плотность (203 μФ/см2) — на три порядка выше, чем у сегодняшних керамических конденсаторов.

Эта технология, представленная в публикации Journal of the American Chemical Society, по мнению авторов, способна произвести переворот в следующих, «пост-графеновых» поколениях конденсаторов, транзисторов и сверхплотной компьютерной памяти.