Доктору Нейл Уилсон (Neil Wilson) из Уорвикского университета (Великобритания) впервые удалось измерить электронные характеристики уникальных материалов, состоящих из многих слоёв различных 2D-полупроводников. Предложенный им новый метод позволит учёным в дальнейшем более целенаправленно вести поиск оптимальных гетероструктур для применения в гибких и эффективных схемах наноэлектроники.

Новая методика создавалась Уилсоном при содействии физиков-теоретиков из Уорвика и Кембриджа, Вашингтонского университета в Сиэтле и фирмы Elettra Light Source (Италия). О ней рассказывает недавняя публикация в журнале Science Advances.

Эта техника использует фотоэлектрический эффект и позволяет напрямую измерять момент электронов в каждом слое. Она также демонстрирует, как меняются электронные характеристики при комбинировании различных атомарных слоёв.

Интерпретация результатов измерений осуществляется на основе численных моделей взаимодействия 2D-слоёв, разработанных коллегой Уилсона, доктором Ником Хайне (Nick Hine).