Дорогие читатели, Нашему шестнадцатилетнему, волонтёрскому и некоммерческому проекту для создания новой, современной версии N-N-N.ru, очень нужно посоветоваться касательно платформы нашего сайта – SYMFONY & DRUPAL 8. Платформа не простая, но обещаем – мы не займём много времени, просто нужна консультационная поддержка квалифицированного разраба. Если вы можете помочь, то связаться с нами можно на страницах Facebook.com здесь и здесь.

Как улучшить резистивную память

Американские исследователи предложили технологию, которая теоретически упростит и удешевит процесс производства компьютерной памяти нового поколения RRAM.

Недавно мы рассказывали, что молодая калифорнийская компания Crossbar представила эффективную технологию изготовления RRAM — энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом, которая в перспективе должна стать альтернативой широко распространённой флеш-памяти NAND.

Теперь исследователи из Калифорнийского университета в Риверсайде (США) сообщили, что нашли способ улучшения структуры RRAM.

6.jpg Рис. 1. Профессор Джианлин Лиу (здесь и ниже изображения Калифорнийского университета в Риверсайде).

Напомним принцип работы RRAM. Диэлектрики, которые в нормальном состоянии имеют очень высокое сопротивление, после приложения достаточно большого напряжения могут сформировать внутри себя проводящие нити низкого сопротивления и, по сути, превратиться в проводник. То есть материал фактически является управляемым постоянным резистором с двумя или более переключаемыми уровнями сопротивления.

Один из способов соединения ячеек памяти с линиями данных в кристалле — использование диодов. Эти элементы могут открыть путь к наложению нескольких слоёв памяти друг на друга, что позволит получить трёхмерную структуру — а значит, серьёзно увеличить количество хранимой информации на единицу площади.

b.jpg Рис. 2. Наноостров из оксида цинка на кремниевом чипе и различные режимы работы памяти.

Теперь американские исследователи предлагают вовсе обойтись без диодов, что упростит и удешевит процесс производства RRAM-памяти. Альтернативой традиционным выбирающим элементам, как ожидается, станут самоорганизующиеся наноостровки оксида цинка на кремниевой подложке. Используя атомно-силовой микроскоп, учёные показали эффективность новой структуры при работе ячеек памяти в различных состояниях.

Профессор Джианлин Лиу, один из авторов работы, отметил, что

полученная структура стала значительным достижением для индустрии электроники, которая находится на пути перехода от флеш-памяти к RRAM.

Микросхемы RRAM способны к примерно такому же быстродействию, что и DRAM, сохраняя при этом информацию при отсутствии питания. По сравнению с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок бóльшим числом циклов перезаписи.

Результаты исследования опубликованы в журнале Scientific Reports.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.3 (13 votes)
Источник(и):

1. Калифорнийский университет в Риверсайде

2. compulenta.ru