Группа исследователей из Тайваня совместно с учеными из университета Калифорнии разработала технологию создания памяти на базе наноточек, которые располагаются на слое изолятора и покрыты металлическим слоем, играющем роль затвора. Скорость записи и стирания информации у такого запоминающего элемента в 50–100 раз выше, чем у современных устройств.

Наноточки представляют собой наноразмерные частицы, регулярным образом расположенные на подложке и каждая наноточка может функционировать как один бит. Чтобы контролировать работу памяти, слой наноточек покрыт тонким металлическим слоем, который выполняет роль затвора в транзисторе. Таким образом, заряд может попадать на точку и покидать ее, что будет соответствовать нулю или единице.

Добиться рекордной скорости записи и стирания удалось благодаря использованию свехркоротких вспышек зеленого лазера, который выборочно активирует определенные участки металлического слоя, создавая затвор над определенной наноточкой. Метод, по словам разработчиков, очень точен: даже если отдельный заряд не запишется на точку, он не изменит состояния соседних точек. Таким образом, информация может храниться на устройстве достаточно долго.