Уже более 30 лет основой всей полупроводниковой техники является технология CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Подавляющее большинство всех CMOS-чипов содержит на своих кристаллах большое количество полевых транзисторов (Field Effect Transistors, FET) n- и p-проводимости, электрические и полупроводниковые свойства которых закладываются на стадии их производства. Ученые из Технологического университета Мюнхена разработали и продемонстрировали универсальный транзистор, который можно переключить из режима n-проводимости в режим p-проводимости и наоборот простой сменой полярности поданного на специальный электрод управляющего сигнала.

Такая возможность переключения свойств нового транзистора стала возможной за счет использования сложной гетероструктуры электронного устройства, основой которой является осевой нанопроводник из кремния, на котором установлены независимые управляющие электроды, затворы, использующие эффект барьера Шоттки. Помимо дополнительной функциональности, новая наноразмерная структура нового транзистора позволила увеличить в несколько раз его электрические и скоростные характеристики, к примеру

отношение сопротивлений при выключенном и включенном состоянии нового транзистора составляет 10⁹.

Этот «роман» нанотехнологий и полупроводниковой технологии позволил реализацию простой и компактной универсальной платформы для создания электронных устройств, которые могут изменять свою конфигурацию на лету, прямо во время выполнения вычислительных операций и логических функций.

А это позволит создавать новые микропроцессоры, чрезвычайно мощные и беспрецедентно гибкие, на которых сможет эффективно функционировать настоящий искусственный интеллект.

Рис. 1. Изображение основы нового устройства + кривая перехода.