Центр исследований микроэлектроники в Техасе работает в сфере изучения полупроводников. Главным образом, работа центра сводится к изучению свойств полупроводников, сделанных из различных материалов, таких как кремний, графен, германий, арсенид галлия и некоторых других. Доктор Бхагаван Саху (Bhagawan Sahu), сотрудник центра, в своём интервью изданию Nextbigfuture изложил свою точку зрения о перспективах дальнейшего развития микроэлектроники.

По мнению доктора микроэлектроника сегодня находится на распутье, по причине того, что кремний, ставший привычным материалом для выращивания кристаллов, потребует замены в связи с дальнейшим «утончением» техпроцесса.

Главным образом, разговор шёл об особенностях работы с графеном, и преимуществах, которые он способен дать.

Согласно прогнозам, которыми поделился Саху,

реальный прототип графенового процессора увидит свет к 2015 году, а массовые процессоры, вероятно, появятся в 2022 году.

На смену CMOS- транзисторам придут BiSFET (bilayer pseudospintronic field-effect transistor)–транзисторы, способные переключаться со скоростью до 100 ГГц.

Последние чипы, созданные по технологии CMOS, будут сделаны по семинанометровому техпроцессу, причём для их создания кремний уже не будет подходить, вероятнее всего, они будут сделаны из германия или другого материала.

Дальнейшее уменьшение CMOS –транзисторов, по мнению Саху будет нецелесообразным.

BiSFET–транзисторы будут созданы из двух независимых слоёв графена, с диэлектриком, или вакуумом между ними.

Переход к применению графена также позволит перейти к использованию спинов в качестве носителя заряда, что положительно скажется на энергопотреблении и быстродействии чипов.

Некотрые детали исследований графена и прогнозов на его использование представлены в следующих роликах: