В Санкт-Петербурге подведены итоги 12-й Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Организаторы конференции – СПбГПУ, СПбГУ, Академический университет и ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН. Конференция проведена при поддержке Министерства образования и науки РФ, Правительства Санкт-Петербурга, Российского фонда фундаментальных исследований, Фонда «Династия» и ЗАО «Полупроводниковые приборы».

В конференции приняли участие 25 научных центров из 13 городов России. Самой представительной была делегация Санкт-Петербурга (8 организаций). Наибольшее количество гостей приехало из Нижнего Новгорода, Волгограда, Воронежа, Москвы, Самары, Пензы и Новосибирска. Общее число участников конференции превысило 300 человек.

Как известно, в этом году научная общественность отмечает 50-летие создания первого лазера. Сегодня про лазеры знает каждый: они широко применяются не только в научных исследованиях, но и в технике (оптические линии связи, бытовая техника, обработка материалов), в метрологии, в медицине (в том числе, при лечении онкологических заболеваний). Лазерная тематика нашла яркое отражение и в приглашенных докладах известных ученых (член-корреспондент РАН А.Е.Жуков, доктора наук И.С.Тарасов и Ю.П.Яковлев), и в презентациях начинающих исследователей. Студентка СПбГПУ М.О.Машко за доклад о лазерных наноструктурах, содержащих сурьму, была награждена дипломом III степени.

Представление и обсуждение докладов известных ученых ведущих институтов РАН стало своего рода мастер-классом для студентов и аспирантов. Особый интерес вызвал доклад доктора наук В.А. Волкова (ИРЭ РАН, Москва), посвященный уникальным свойствам графена. Своим докладом о другой модификации углерода – двойной углеродной наноленте – удивил волгоградский студент Д.В.Колесников (поощрительный диплом).

О разнообразных способах управления спином электронов и перспективах спинтроники рассказал доктор наук Ю.Г.Кусраев (ФТИ им. Иоффе РАН), а нижегородский аспирант С.С.Криштопенко за исследование одной из проблем в этой области был награжден дипломом II степени. Его землячка М.М.Прокофьева посвятила свой доклад наноструктурам со слоем марганца, перспективным для создания транзисторов нового типа – спиновых транзисторов.

Ученые из Физтеха поразили воображение слушателей неожиданными аналогиями. О том, что в основе восприятия человеком музыки лежат те же физические принципы, которые управляют работой многих полупроводниковых приборов, рассказал М.Е.Левинштейн. А из доклада Д.Г.Яковлева студенты и аспиранты узнали, что зачастую в матрице современного цифрового фотоаппарата электроны ведут себя так же, как и внутри уникальных космических объектов – «белых карликов».

Оргкомитет конференции выделил весьма оригинальные работы и среди молодежных презентаций. Например, новосибирский аспирант А.А.Шевырин создал и исследовал наноэлектромеханический одноэлектронный транзистор, который может быть использован как детектор слабых вибраций (диплом I степени). Важное прикладное значение имеют и многие другие исследования и разработки. Аспирант СПбГЭТУ М.В.Барановский создал автоматизированную установку по диагностике наногетероструктур. Аспиранты ФТИ им. Иоффе (С.-Петербург) посвятили свои работы созданию специальных светодиодных источников (М.В.Чаус), оптимизации характеристик солнечных элементов (В.М.Емельянов), созданию фотодиодов для инфракрасной области спектра (Г.Г.Коновалов). Студент А.С.Буйских (Академический университет РАН, С.-Петербург) и аспирант М.С.Жолудев (ИФМ РАН, Нижний Новгород) экспериментально и теоретически исследовали источники и приемники терагерцового излучения. Перечисленные приборы необходимы для разработки систем экологического мониторинга и лазерной локации, диагностики и лечения болезней.

Лучшие доклады молодых ученых отмечены дипломами и денежными премиями. Лучшие работы прикладного характера, имеющие инновационный потенциал, рекомендованы для участия в конкурсе с номинацией «За научные результаты, обладающие существенной новизной и перспективой их коммерциализации». Победители конкурса получат гранты Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (размер грантов – до 200 тысяч рублей в год).

Пресс-служба СПбГПУ

Политехническая ул., 29

E-mail: press.center@spbstu.ru

Тел. 552 69 62