Нанолитография. Кто придет первым?

-->

Текущий 2008 год объявлен чипмейкерами годом 32-нм технологии. Но еще окончательно не ясно, какое литографическое оборудование обретет долгую жизнь. Спор идет между лазерной 193-нм литографией (со всякими хитростями, способными «обмануть» диффракционный предел), ЭУФ (экстремальный ультрафиолет с длиной волны 13 нм) литографией или печатной (наноимпринт) литографией.

Еще в конце августа 2006 года компания ASML (Нидерланды) поставила первую в мире установку ЭУФ литографии – Alpha Demo Tool (ADT) стоимостью 65 млн. долл. в College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) при Университете в Олбани (США). Установка, предназначенная для исследований (а не для производства), интегрирована в нанотехнологический комплекс (Albany NanoTech complex) глобального промышленно-университетского косорциума International Venture for Nanolithography (Invent). Среди членов Invent – AMD, IBM, Micron Technology и Qimonda, а в выполнении программы ЭУФ литографии в CNSE будут также участвовать японские компании Sony и Toshiba [1].

nanolith.jpg Наноструктуры, изготовленные методом двухфотонной нанолитографии

Другую демонстрационную ЭУФ установку ASML поставляет также в IMEC (бельгийскую исследовательскую организацию). Бельгийская иследовательская группа IMEC и CNSE заключили соглашение о совместном проведении экспериментов в области ЭУФЛ [2]. Эксперименты сначала будут проводиться на Олбанском нанотехнологическом комплексе CNSE, а затем и на одной, и на другой территории в зависимости от запуска и готовности к эксперименту соответствующих установок. Цель участников проекта – продемонстрировать практическую осуществимость ЭУФ литографии и восстановить доверие к этой системе для эффективной технологии формирования 32-нм (и ниже) рисунка наноэлектронных приборов.

ASML, которая в течение нескольких лет разрабатывает установки ЭУФ литографии совместно с Nikon Corp., считает, что ЭУФ – единственный эффективный способ формирования 32-нм рисунка для наноэлектронных приборов. Однако, не получив вовремя нужные материалы для ЭУФ литографии, Intel Corp., один из чемпионов в разработке массовой 32-нм технологии и потенциальный потребитель ЭУФ установок, запустила исследования, связанные с различными способами продления жизни лазерной 193-нм литографии на этот топологический размер. Intel рассматривает ЭУФЛ как возможность реализации 22-нм технологии в 2011 году.

Успех компании Toshiba в изготовлении методом наноимпринт литографии тестовых образцов с суб-20-нм разрешением при 1-нм однородности воспроизведения критических размеров, возможно, заставит чипмейкеров обратить на этот метод более пристальное внимание. Образцы изготовлены на установке Imprio 250 компании Molecular Imprints Inc. (США). Инфраструктура импринт литографии достаточно развита в связи с ее использованием в производстве жестких дисков и светодиодов [3].

Автор – С.Т.К.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4 (4 votes)
Источник(и):

1. eeTimes: ASML ships world's first EUV tool

2. eeTimes: Groups collaborate on EUV lithography advances

3. Semiconductor: Toshiba Validates Imprint Lithography for <32 nm