Исследователи из Австралии и США создали соединение вольфрама и теллура, которое одновременно обладает и металлическими, и сегнетоэлектрическими свойствами при комнатной температуре. Работа опубликована в журнала Science Advances и обещает прорыв в компьютерных технологиях.

Сегнетоэлектричество (в зарубежной литературе ферроэлектричество) – это явление спонтанной поляризации в кристалле. В этом случае электроны внутри вещества распределены неравномерно, образуя определенные скопления. К таким веществам относятся, например, сегнетова соль (двойная водная соль калия – натрия винной кислоты), титанаты бария и свинца, ниобат лития. Сегнетоэлектрики используются, например, как ячейки памяти или в производстве малогабаритных низкочастотных конденсаторов с большой удельной емкостью.

Однако проявление одновременно металлических и сегнетоэлектрических свойств считалось до определенного времени невозможным. Теория в принципе допускала такие вещества, структура кристаллов которых должна была быть слоистой и один слой должен был быть металлическим, а другой – сегнетоэлектрическим, но считалось, что их «металлическая» природа заглушит сегнетоэлектрические свойства.

«Еще в шестидесятых годах теоретики предсказали, что сегнетоэлектрические металлы должны существовать, однако мы смогли создать их только сейчас. Другие многослойные металлические материалы тоже должны обладать подобными свойствами, и мы планируем продолжать их поиски», — рассказывает Панкадж Шарма из Университета Нового Южного Уэльса в Сиднее (Австралия), один из соавторов статьи.

Исследователям удалось получить соединение вольфрама и теллура WTe₂, которое проявляет металлические и сегнетоэлектрические свойства при комнатной температуре. Это может привести к созданию новых типов памяти для компьютеров. Она не будет терять информацию при отключении питания, при этом сможет не «сыпаться» со временем в отличие от флеш-памяти.