SK hynix объявила о начале массового производства, как заявляется, первых в мире чипов 128-слойной флеш-памяти TLC 4D NAND емкостью 1 Тб. Всего восемь месяцев назад компания анонсировала первую 96-слойную флеш-память 4D NAND.

Как отмечается, 128-слойная память предлагает самую высокую в отрасли вертикальную плотность: более 360 млрд ячеек NAND, каждая из которых хранит по 3 бита данных. В итоге, новинка обеспечивает самую высокую плотность для TLC-памяти. Ранее ряд компаний уже представили продукты емкостью 1 Тб на чип, но они базировались на QLC-памяти (Quad-Level Cell).

Благодаря четырехплоскостной архитектуре на одном кристалле, новинка обеспечивает скорость передачи данных 1400 Мб/с при энергопотреблении 1,2 В, что позволит создавать высокопроизводительные и маломощные мобильные решения и корпоративные твердотельные накопители. SK Hynix начнет поставлять 128-слойную 4D NAND память во второй половине этого года.

Компания также планирует выпустить на ее основе продукты UFS 3.1 в первой половине следующего года для флагманских смартфонов. Благодаря 128-слойной флеш-памяти, количество чипов NAND, необходимых для емкости 1 ТБ, будет уменьшено вдвое по сравнению с предыдущими решениями. Это предоставит производителям мобильное решение с потреблением энергии на 20% меньше в корпусе толщиной 1 мм.

SK Hynix также намерена начать массовое производство корпоративных твердотельных накопителей емкостью 2 ТБ с контроллером и программным обеспечением собственной разработки в первой половине следующего года. В следующем году также будут выпущены твердотельные накопители NVMe емкостью 16 ТБ и 32 ТБ для облачных ЦОД.

Что касается дальнейших планов по уплотнению чипов памяти, то SK Hynix разрабатывает 176-слойные чипы 4D NAND следующего поколения.