Сократить разрыв между мозгом и AI поможет мемтранзистор
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Максимально эффективно решать задачи, требующие применения алгоритмов искусственного интеллекта (AI), могут только нейроморфные компьютеры, т.е. такие, функциональная структура которых напоминает строение головного мозга.
Важный шаг к достижению этой цели сделал профессор материаловедения Северо-Западного университета, Марк Хёрсам (Mark C. Hersam). Вместе коллегами из Инженерной школы Мак-Кормика и Национального Института стандартов и технологий (NIST) он разработал мемтранзистор — устройство, подобно нейрону, совмещающее функции процессора и памяти.
В основу нынешней работы, о которой рассказывает февральская публикация в Nature, положен трёхконтактный мемристор, созданный Хёрсамом в 2015 г. В мемтранзисторе также использован 2D-материал, дисульфид молибдена (MoS2), с характерными границами, влияющими на движение носителей заряда.
В отличие от мемристора, в котором использовались мельчайшие индивидуальные фрагменты MoS2, для мемтранзистора авторы изготовили непрерывную поликристаллическую плёнку дисульфида молибдена, размером со стандартную заготовку, и увеличили количество контактов.
Типичные транзисторы имеют три контакта однако в описанном в Nature устройстве один вывод служит для управления током через ещё шесть контактов.
«Это ещё больше уподобляет его нейронам мозга, — подчеркнул Хёрсам. — Один нейрон подключается там к многим другим, формируя сеть. Множественные контакты нашего устройства соответствуют многим синапсам нейронов».
Участникам проекта далее предстоит заняться улучшением быстродействия мемтранзистора и уменьшением его габаритов, а также адаптацией его конструкции для крупномасштабного производства.
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев