Новый нанокомпозит, созданный исследователями Центра интегрированных нанотехнологий (Лос-Аламос, штат Нью-Мексико) во взаимодействии с британскими университетами Оксфорда и Уорвика, может составить материальную основу устройств компьютерной памяти, способных записывать и считывать информацию с терагерцевой частотой.

Было обнаружено, что в присутствии внешнего магнитного поля электропроводность плёнки высококачественного функционального нанокомпозита перовскитных оксидов, может изменяться на два порядка величины с частотой ~2 ТГц. В противоположность прежнему, этот эффект «колоссальной магниторезистивности» достигается в магнитном поле умеренной интенсивности и не требует специального охлаждения.

В экспериментах британских и американских исследователей для измерения магниторезистивности использовались оптические импульсы терагерцевой частоты — новый подход, который также может революционизировать конструкцию будущих устройств памяти.

В статье для журнала Nano Letters учёные представили результаты изучения физического механизма открытого ими эффекта с использованием методов терагерцевой магнитоспектроскопии с разрешением по времени. Они прогнозируют, что колоссальная магниторезистивность на терагерцевых частотах может найти применение в сверхминиатюрных оптических и электронных компонентах, таких как модуляторы с магнитным управлением.