Новый 1D-материал сделает возможным нанометровый транзистор

Транзисторы в интегральных схемах, становясь меньше, требуют все более высокую плотность тока для обеспечения нужного уровня производительности. Большинство традиционных проводников электричества, таких как медь, с ростом плотности тока быстро перегреваются и разрушаются, что ограничивает возможности дальнейшей миниатюризации электронных компонентов.

Инженеры из Калифорнийского университета в Риверсайде (UC Riverside) продемонстрировали прототипные устройства, сделанные из экзотического материала — нанополосок трителлурида циркония (ZrTe3), способных выдерживать плотность тока в 50 раз большую, чем медные межсоединения. Это выше, чем у любого из известных металлов и 1D-материалов и почти достигает уровня плотности тока в углеродных нанотрубках (CNT) и графене.

«Обычные металлы имеют поликристаллическое строение. Границы зёрен и неровности поверхности в них рассеивают электроны, — рассказал Александр Баландин, заслуженный профессор Инженерного Колледжа UC Riverside. — Квазиодномерные материалы, такие как ZrTe3, состоят из монокристаллических атомных цепочек, ориентированных в одном направлении. В них нет границ зёрен и часто, после отслоения (от заготовки), их поверхность имеет атомарную гладкость. Мы приписываем исключительно высокую плотность тока в ZrTe3 монокристаллической природе квази-1D-материалов».

Эксперименты проводились на образцах нанополосок, вырезанных из листа ZrTe3, но для промышленных приложений их нужно будет научиться выращивать напрямую на заготовках. Группа UC Riverside в настоящее время занята разработкой такого технологического процесса, который откроет для 1D-материалов возможности применения в будущих поколениях электронных устройств с детализацией на уровне одного нанометра.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (2 votes)
Источник(и):

ko.com.ua