Дорогие читатели, Нашему шестнадцатилетнему, волонтёрскому и некоммерческому проекту для создания новой, современной версии N-N-N.ru, очень нужно посоветоваться касательно платформы нашего сайта – SYMFONY & DRUPAL 8. Платформа не простая, но обещаем – мы не займём много времени, просто нужна консультационная поддержка квалифицированного разраба. Если вы можете помочь, то связаться с нами можно на страницах Facebook.com здесь и здесь.

Дырки в кремнии улучшат охлаждение чипов в 5 раз

Поиск новых способов отвода избыточного тепла от электронного оборудования в последние годы приобрел повышенную актуальность. С более крупными компонентами разработчики могут использовать радиаторы, выступы-плавники (fin) и даже вентиляторы, но на сегодняшних чипах с миллиардами плотно упакованных транзисторов для этих техник охлаждения уже не осталось места.

Многообещающее открытие недавно было сделано учёными из Калифорнийского университета (UC Irvine). В журнале Nanotechnology участники группы Nano Thermal Energy Research Group этого университета рассказали об уникальных тепловых свойствах перфорированного (дырчатого) кремния — заготовки для чипов с проделанными в ней мельчайшими вертикальными отверстиями.

«Мы установили, что тепло предпочитает перемещаться вертикально, сквозь дырчатый кремний, но не латерально. Это означает, что материал может эффективно отводить тепло от локальных горячих точек в вертикальном направлении к интегрированным на чипе системам охлаждения, сохраняя при этом необходимый температурный градиент для термоэлектрических соединений в поперечном направлении», — сообщил Чжехо Ли (Jaeho Lee), адъюнкт-профессор механических и аэрокосмических технологий.

В лабораторных симуляциях новый структурный материал продемонстрировал эффективность охлаждения, как минимум, в пять раз выше, чем у халькогенидов — соединений, применяемых сегодня в системах термоэлектрического охлаждения.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (1 vote)
Источник(и):

ko.com.ua