Учёные указали путь к сверхэкономичной магнитной памяти

В результате исследования, проведённого междисциплинарным научным коллективом на базе Осакского Университета (Япония), был сформулирован новый способ реализации сверхэкономичной магнитной памяти.

Хорошо известная энергонезависимая магнитная память MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) использует электрическое напряжение для изменения полярности наномагнитов. К сожалению, эффективность контроля магнитной анизотропии таким способом (Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy, VCMA) на порядок меньше, чем требуется для практических приложений.

Своё открытие группа учёных из университетов Осака, Тохоку, Национального института материаловедения, японского института исследований синхротронного излучения и пр. сделала, сопоставляя данные теоретических расчётов и экспериментальных наблюдений для системы FePt|MgO, состоящей из моноатомных слоёв платины и ферромагнитного железа на основе из диэлектрического оксида магния.

Было обнаружено, что помимо известного механизма перемагничивания — индукции орбитального магнитного момента, действует и другой, прежде неизвестный механизм, объясняемый перераспределением зарядов и подтверждаемый измерением магнитного дипольного момента.

90uf059ugt.jpg

В системе FePt|MgO эти механизмы частично погашают друг друга, однако в других материалах они могут создавать эффект взаимного усиления с увеличением VCMA в 10 и более раз.

Авторы исследования рассчитывают, что их коллективный опыт позволит сконструировать подобный материал. Его применение в запоминающих устройствах может существенно улучшить экономию энергии за счёт снижения тепловых потерь.

Пожалуйста, оцените статью:
Пока нет голосов
Источник(и):

ko.com.ua