Новый материал ускорит появление ферроэлектрических DRAM и SSD

На Симпозиуме по технологиям СБИС бельгийский исследовательский центр imec сообщил о демонстрации нового ферроэлектрического материала и новой вертикальной архитектуры энергонезависимой ферроэлектрической памяти NAND.

Ферроэлектрики состоят из спонтанно поляризующихся кристаллов, переключаться между двумя состояниями которых можно, прикладывая соответствующее электрическое поле. Энергонезависимость роднит их с ферромагнетиками.

Открытая более полвека назад ферроэлектрическая память, благодаря высокой скорости коммутации и малому энергопотреблению могла бы считаться идеальной если бы не серьёзные технологические проблемы, связанные со сложностью используемых материалов, разрывами интерфейсного слоя и плохой стабильностью хранения информации.

Недавнее обнаружение ферроэлектрической фазы двуокиси гафния — широкоизвестного и довольно простого соединения — вызвало новый всплеск интереса к такой памяти.

wsjfdj4m.jpg

«С HfO2, мы получили материал для изготовления ферроэлектрической памяти, которая полностью совместима с технологией КМОП. Это позволяет нам делать ферроэлектрический полевой транзистор (FeFET) как планарной, так и вертикальной разновидностей, — отметил Ян Ван Худт (Jan Van Houdt), главный научный сотрудник imec по технологиям памяти. — Мы работаем над устранением оставшихся недочетов хранения, точности легирования и свойств интерфейса для стабилизации ферроэлектрической фазы».

Он заверил, что предложенная концепция FeFET обладает всеми необходимыми характеристиками для различных типов самостоятельной и встроенной памяти, от энергонезависимой DRAM до альтернативы флэш-накопителям.

Imec продолжает совершенствовать свою концепцию в сотрудничестве с ведущими мировыми производителями чипов памяти, которым недавно были переданы первые, весьма многообещающие результаты исследований вертикальных FeFET на базе оксида гафния, легированного алюминием.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (1 vote)
Источник(и):

ko.com.ua