Высокая стоимость создания германиевых кристаллов позволила в прошлом выйти на сцену менее эффективному полупроводнику — кремнию. Изменить сложившееся положение дел в отрасли микроэлектроники могут новые исследования, результатом которых стал экономичный метод выращивания тонких плёнок кристаллического германия, использующий так называемую ван дер ваальсову эпитаксию при повышенной температуре (решётка германия стабилизируется при ~425 °C).

Слабые связи с подложкой позволяют выращивать германий на недорогих и доступных материалах, сильно отличающихся от него по кристаллической структуре, при этом в полупроводниковый слой не вносятся напряжения и дефекты.

«Наше исследование обнаружило узкое окно, очень специфический набор условий, который работает, — заявил Аарон Литлджон (Aaron Littlejohn), профессор Политехнического института Ренсселера (штат Нью-Йорк). — Это первая демонстрация ненагруженной эпитаксии Ван дер Ваальса для простого полупроводника».

Новый метод интересен ещё и тем, что позволяет отделять германий от подложки, и получать гибкую плёнку толщиной около 80 нм. Интегрировать в электронные устройства такую плёнку можно гораздо проще, чем нанокристаллы или нанопровода. Она также может служить в качестве основы для нанесения слоёв других материалов, таким образом можно создавать гибкие транзисторы, солнечные панели и даже носимую оптоэлектронику.

Статья, рассказывающая об этой работе, вышла на днях в Journal of Applied Physics.