Новый двумерный полупроводник, способный произвести революцию в электронике, разработан профессором Акселем Эндерсом (Axel Enders) из Физического института Университета Байройта (Германия) при участии коллег из США и Польши.

Благодаря своим полупроводниковым свойствам этот материал, содержащий углерод, бор и азот, значительно лучше подходит для высокотехнологичных приложений, чем открытый в 2004 г. графен. В публикации журнала ACS Nano он представлен под названием h-BCN (Hexagonal Boron-Carbon-Nitrogen).

Идею заменить отдельные атомы в углеродной 2D-решетке на бор и азот и таким образом превратить графен в полупроводник, профессору Эндерсу помогла воплотить в жизнь команда учёных из Университета Небраска-Линкольн. Материал был синтезирован из модифицированного азотом и бором циклогексана на подложке из иридия.

Плёнка h-BCN получается не совсем плоской: внутренние напряжения из-за несовпадения решёток приводят тому, что она периодически отстаёт от основы, образуя бугры и складки.

«Наши результаты могут стать отправной точкой для нового поколения электронных транзисторов, схем и датчиков, более малогабаритных и гибких, чем те, что использовались до сих пор. Они могут обеспечить существенное снижение расхода энергии», — отметил Эндерс.

Он утверждает, что h-BCN намного лучше, чем графен подходит для преодоления пределов миниатюризации, свойственных КМОП-технологии.