Учеными Университета Квинс в Белфасте (Северная Ирландия) и Высшей Технической Школы Цюриха (ETH Zurich) разработана теоретическая платформа, которая будет способствовать созданию более совершенной оптоэлектронный техники (устройств, испускающих свет, контролирующих и детектирующих его) со сниженными тепловыделением и потреблением энергии.

Результаты этого исследования позволяют инженерам количественно определять степень прозрачности 2D-материала для электростатического поля.

По мнению доктора Элтона Сантоса (Elton Santos) из Квинса, это сделает возможным микроскопический нелинейный контроль за распределением носителей заряда в объёмном полупроводнике (например, традиционных кремниевых микрочипах), поможет конструировать улучшенные квантовые конденсаторы для мощных батарей и вертикальные транзисторы.

«Наша сегодняшняя модель просто рассматривает интерфейс между слоем 2D-материала и объёмным полупроводником. В принципе этот подход можно расширить на недавно синтезированные гетероструктуры Ван-дер-Ваальса, состоящие из многих слоев 2D-материалов, — заявил доктор Сантос. — Это позволит прогнозировать поведение таких инновационных устройств ещё до их изготовления, что значительно упростит разработку для различных приложений, уменьшит потребность в дорогостоящей лабораторной работе и тестовых испытаниях».