“Наношашлык” - кристаллическая наноструктура с широкими перспективами

Ученые из Университета штата Северная Каролина приготовили «наношашлык» из кристаллов односернистого германия (GeS) – но вовсе не в кулинарных целях. Эта наноструктура, первая в своем роде, пригодится в разработке трехмерных солнечных батарей, а также датчиков, суперконденсаторов и фотоэлементов нового поколения, сообщает Inhabitat.

Чтобы сделать такой «наношышлык», ученые сначала изготовили нанопровод из односернистого германия шириной примерно 100 нанометров. Потом они подвергли его воздействию воздуха: из-за слабой окисленности на поверхности провода возникают точки нуклеации. А после этого на провод был выпущен GeS-пар, и на каждой точке образовались двухмерные нанолисты. И так получился первый сконструированный наноматериал из одномерных и двухмерных форм, обладающих общей кристаллической структурой.

В отчете об исследовании написано, что

«нанопровод и нанолисты, соединенные в общую “гетероструктуру”, дают нам материал, обладающий большой площадью поверхности и – поскольку GeS является полупроводником – способностью эффективно передавать электричество. Площадь поверхности обеспечивают нанолисты, нанопровод же выступает в качестве канала, передающего электрический заряд от одного листа к другому, или от нанолистов к другим поверхностям».

Аналогичные гетероструктуры можно получить из других материалов, в молекулах которых также имеются кристаллические слои – например, двусернистый молибден (MoS2). Этот материал, вероятно, даже лучше будет работать в электронных устройствах, прежде всего в фотоэлектрических элементах. Именно поэтому данное открытие поможет в поиске новых методов увеличения КПД солнечных батарей.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.9 (7 votes)
Источник(и):

1.nauka21vek.ru