Магниторезистивная память придет на смену флеш-памяти, на этом ученые, разрабатывающие новые технологии, сошлись уже давно. Такая память, хранящая информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов, объединяет в себе преимущества всех известных типов памяти – она энергонезависимая, быстрая, выдерживает большое количество циклов записи. То есть, новые микросхемы смогут заменить собой как оперативную память, так и SSD. Проблемой оставалось только подобрать материал, из которого можно сделать такую память.

Прорыва добились исследователи из университета Калифорнии. Они использовали кремниевую подложку, на которой методом самосборки были выращены кристаллы оксида цинка. Профессор Лю Цзяньлинь (на снимке) уверен, что новая технология позволит, например, в мобильниках увеличить объем встроенной памяти минимум в десять раз.