Графен почти научились переносить на кремниевые поверхности

Выращивать чудо-материал без дефектов — это ещё не всё. Чтобы интегрировать его в мир современной микроэлектроники, придётся научиться переносить сверхтонкие одноатомные пластины на кремний, причём предельно аккуратно.

Группа материаловедов из Сингапурского национального университета во главе с Ло Киан Пином (Loh Kian Pin) разработала новый одношаговый процесс выращивания и переноса высококачественного графена на кремниевую или любую другую жёсткую подложку.

z1_1.jpg Рис. 1. Эксперимент по новому методу выращивания графена на меди (фото NUS).

В последнее время в «графеновой промышленности» наблюдаются просто тектонические сдвиги: так, найдены новые способы выращивания из графена пластинок управляемого размера и формы. Однако любая современная микросхема, в которую вы мечтаете интегрировать графен (из-за его, понятно, отменных свойств), — многослойное устройство, а выращивать графен прямо на нём пока не очень-то получается.

То есть нужен техпроцесс не просто производства графена, но и его переноса на другие жёсткие поверхности.

Поясним: графен, будучи одноатомной пластиной, при отрывании от поверхности, на которой его выращивают, получает дефекты. Избежать этого полностью нельзя, поэтому даже самый высококачественный графен при переносе становится «так себе».

Чтобы обойти проблемный угол стороной, сингапурские учёные поместили выращиваемый графен на «пузырьковую подушку». Для этого в субстрат, на котором «культивировался» материал, впрыскивали газы, а в жидкий катализатор роста графена добавляли поверхностно-активные вещества. Из-за этого пузырьки не создавали дефектов в графене при их образовании, а после того, как он был готов, оторвать лист атомов углерода от слоя пузырьковых мостиков оказалось на порядок проще, причём число дефектов после этого было беспрецедентно малым.

z2_0.jpg Рис. 2. Графен, выращенный на медной плёнке толщиной 700 нм. A: без предварительной обработки (накачкой субстрата газами) и вакуумного отжига. B: без предварительной обработки, но с отжигом. C: с предварительной подготовкой, но без отжига. D: с подготовкой и отжигом. Стрелки указывают на пузырьки под графеном. (Иллюстрация Loh Kian Pin).

Таким методом, по словам разработчиков,

графен можно выращивать серийно (ключевое слово в этой заметке!) на поверхности кремниевых пластин, включая крупные интегральные схемы.

Сейчас сингапурцы ведут предварительные переговоры о коммерциализации гибридных графено-кремниевых полупроводниковых изделий с несколькими неназванными партнёрами «из электронной индустрии».

Отчёт об исследовании опубликован в журнале Nature.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (13 votes)
Источник(и):

1. Сингапурский национальний университет

2. compulenta.computerra.ru



OSV аватар

Не удивительно, что в период застоя науки (см. «Непричёсанная физика и частица Бога на rusnor.org) горе-учёные делают открытия (См. там же «Графеновый вирус»), а обывателю втюхивают разную фигню («О нанотрубках и графене знают даже малыши»). В этой статье и то, и другое, и третье – всё сразу.

  1. Одноатомный слой графита, в принципе, нестабилен и, поэтому не существует.
  2. Стабилизировать его можно на некоторых подложках.
  3. Давно отработана технология выращивания карбида кремния у которого чередуются слои кремния и углерода, т. ч. с одной стороны выращенного SiC – моноатомный слой Si, а с ругой стороны выращенного SiC – моноатомный слой C.

Все эти дурацкие игры – использование уникальных технологий для строительства коллайдеров и надувания мыльных пузырей, тесно связаны с большой дурацкой игрой ЭКОНОМИКА (см. «Лженаука ЭКОНОМИКА» там же).

Станислав Ордин.

tmakarova аватар

Вышеприведенные утверждения Станислава Ордина замечательны тем, что верно прямо противоположное.

kur аватар

;)