Японские исследователи сообщили о новых достижениях в области разработки памяти с изменяемым фазовым состоянием (РСМ).

PCM-память рассматривается в качестве потенциальной альтернативы широко распространённым флеш-накопителям.

Принцип работы чипов РСМ основан на свойстве материала носителя находиться в двух стабильных фазовых состояниях.

В одной из этих фаз вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой — кристаллический проводник.

Изменение фазового состояния сопровождается переключением между логическим нулём и единицей.

Рис. 1. Структура ячейки PC-памяти типа NAND (иллюстрация Tech-On!).

Японские учёные создали экспериментальные РСМ-микрочипы, в которых используется структура ячеек, характерная для флеш-памяти NAND.

По сравнению с другими РСМ-изделиями, интерфейс которых позаимствован у памяти RAM, новые микрочипы, как утверждается, позволяют поднять скорость записи информации на 670% и одновременно добиться 70-процентного выигрыша в потреблении энергии.

Правда, при этом теряется возможность произвольного доступа.

Предполагается, что предложенная технология найдёт применение в накопителях с объёмной структурой ячеек памяти.

Создание новых РСМ-микрочипов стало результатом реализации одного из исследовательских проектов, финансируемых японской Организацией разработчиков промышленных технологий и новых источников энергии (NEDO).