На ежегодном симпозиуме VLSI 2012, посвящённом высоким технологиям, был продемонстрирован любопытный проект. Группа исследователей из Университета Чуо (Япония) разработала твёрдотельный накопитель, представляющий собой гибрид из широко распространённой памяти NAND Flash с применением микросхем резистивной памяти ReRAM.

По информации с сайта Tech On!, новинка будет сочетать в себе выгодные стороны обоих типов памяти, то есть обладать высочайшим быстродействием при достаточно солидном объёме.

Прототип гибридного диска включает в себя 256 Гбайт NAND и 8 Гбит ReRAM-памяти.

Действуя согласно особым алгоритмам, регулирующим информационные потоки, новый накопитель способен предоставить десятикратный прирост быстродействия в скорости записи, по сравнению с современными SSD.

Кроме того, авторы разработки обещают продлить срок работоспособности накопителя на 68% и сократить его энергопотребление на 93%.

Руководитель проекта профессор Кен Такеучи (Ken Takeuchi) уверен в том, что его детище имеет прекрасные перспективы, поскольку оно способно предложить пользователю высокую скорость и надёжность работы.