Исследователи из Университета штата Орегон (США) предложили новую технологию изготовления резистивной памяти (RRAM) на основе мемристоров.

Мемристоры, напомним, считаются четвёртым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности. Ключевая особенность элемента этого типа — гистерезис: реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется её собственной историей. Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Это позволяет использовать элемент в качестве ячейки памяти.

Рис. 1. Цепочка мемристоров (фото HP Labs).

Американские учёные подтвердили, что оксид цинка и олова может применяться для формирования прозрачных микросхем памяти на основе мемристоров.

Такие изделия будут обладать высоким быстродействием и небольшим энергопотреблением. Данные могут храниться при отсутствии питания.

Предполагается, что

прозрачные микросхемы памяти приведут к появлению новых электронных устройств — к примеру, информационных дисплеев, интегрированных в лобовое стекло автомобиля, интерактивных столов, рекламных стендов и пр.