В Томске создали нанотранзистор без использования драгоценных металлов

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

Ученым Томского университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) удалось разработать транзистор без использования драгоценных металлов, не имеющий мировых аналогов, сообщил сотрудник пресс-службы вуза. Проект, реализующийся в научно-образовательном центре ТУСУРа «Нанотехнологии», посвящен созданию транзисторов с металлизацией на основе меди.

В настоящее время в производстве арсенид-галлиевых монолитных интегральных схем и транзисторов, на базе которых они создаются, используются драгоценные металлы: платина, палладий, золото, что, влияет на конечную стоимость приборов. Эти металлы могут быть заменены менее дорогой альтернативой – медью. По мнению томских разработчиков, отказ от применения драгоценных металлов и переход к металлизации на основе меди при изготовлении транзисторов позволит не только уменьшить себестоимость их производства, но и повысить технические характеристики.

Ученые ТУСУРа предложили собственный оригинальный метод — металлизацию транзистора с использованием соединения меди с германием, которое также получается оригинальным способом.

«Нашей основной задачей было создание транзистора с высокой надежностью параметров, — сказал руководитель проекта по разработке технологии производства транзисторов, аспирант кафедры физической электроники Евгений Ерофеев. — В настоящее время транзисторы выпускаются с металлизацией на основе драгметаллов, а мы предлагаем использовать соединения меди с германием, которое получается оригинальным способом. В прошлом году мы подали заявку на изобретение на данный эффект: нам удалось разработать первый в мире нанотранзистор, который имеет параметры не хуже аналогов, однако по надежности превосходит их в разы»

Испытания транзистора – ключевого элемента интегральных схем – прошли успешно, поэтому в 2012 году разработчики планируют создать на его основе технологию изготовления монолитной интегральной схемы и подать заявку на патент США.

После этого, по словам Евгения Ерофеева, начнется внедрение готовой технологии в производство, которое будут осуществлять специалисты научно-производственной фирмы «Микран». Разработка аспиранта ТУСУР является одним из направлений совместной работы университета и компании в рамках проекта по созданию высокотехнологичного производства по 218 постановлению Правительства РФ.

Помимо Томска, собственную разработку молодой ученый уже представлял на ведущих конференциях по СВЧ-электронике в Париже и Манчестере (Англия), где получил высокую оценку иностранных специалистов.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (2 votes)
Источник(и):

70rus