С 1 января 2012 г. вступает в силу новый ГОСТ Р 8.716–2010 «Государственная система обеспечения единства измерений. Рефлектометры экстремального ультрафиолетового излучения для измерений характеристик многослойных наноструктур в диапазоне длин волн от 10 до 30 нм. Методика выполнения измерений».

Стандарт распространяется на «средства измерений характеристик многослойных наноструктур в диапазоне длин волн от 10 до 30 нм – рефлектометры экстремального вакуумного ультрафиолетового излучения, предназначенные для измерения коэффициентов зеркального и диффузного отражения, и устанавливает методику измерений коэффициентов зеркального и диффузного отражения.

ЭУФ рефлектометры обеспечивают в диапазоне длин волн от 10 до 30 нм измерение коэффициентов зеркального и диффузного отражения в диапазоне значений от 0,01 до 0,99. В качестве источников непрерывного ЭУФ излучения используют электронные накопительные кольца.

В качестве источников импульсного ЭУФ излучения используют открытые излучатели на основе капиллярного разряда с испаряющейся стенкой или плазменного фокуса, а также электронные синхротроны. В качестве приемников ЭУФ излучения используют солнечно-слепые фотодиоды на основе многослойных наноструктур».

Также с 1 января следующего года вступит в силу новый ГОСТ Р 8.730–2010 «Государственная система обеспечения единства измерений. Рефрактометры интерференционные газоаналитические. Методика поверки».