Компании Toshiba и Hynix будут совместно разрабатывать технологии производства магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

Память MRAM, хранящая информацию при помощи магнитных моментов, совмещает достоинства динамической и флеш-памяти. Микросхемы MRAM обладают небольшим временем доступа и вместе с тем являются энергонезависимыми, то есть могут хранить данные без питания. Кроме того, в отличие от флеш-памяти, характеристики MRAM не ухудшаются за время эксплуатации.

Сообщается, что Hynix и Toshiba сосредоточат усилия на технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми «классическая» технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи.

Благодаря своей универсальности память MRAM, как ожидается, найдёт применение в самых разнообразных устройствах — от смартфонов и персональных компьютеров до бытовой техники. Сроки начала массового производства MRAM-чипов компании Hynix и Toshiba не оговаривают.

Рис. 1. Упрощённая структура ячейки MRAM-памяти (иллюстрация Википедии).