Инженеры-электронщики из университета Вандербилт (Vanderbilt University) разработали все основные компоненты, необходимые для создания микроэлектронных устройств из чрезвычайно тонких алмазных пленок (кратко об этом мы уже писали). Естественно, что основой этого всего стал «алмазный» диод и транзистор, на основе которого были созданы более сложные устройства, включая и логические элементы.

Согласно исследованиям алмазные устройства обладают большим потенциалом, благодаря тому, что теоретически они могут работать на более высоких скоростях и потреблять меньше энергии, чем их кремниевые аналоги. Достигается это за счет того, что алмазная технология является гибридной технологией, взявшей только наилучшие качества от старомодных электронных ламп и современной твердотельной электроники.

Рис. 1. Поясняющая схема.

Самым вероятным будущим применением алмазной электроники является ее использование в военной технике, в космической технике, в датчиках и прочих устройствах, работающих в экстремальных условиях окружающей среды.

Алмазные электронные устройства могут работать при высоком уровне радиации, при высоких температурах до 500 градусов Цельсия и при низких температурах до –185 градусов Цельсия.

Элементы алмазных электронных устройств являются настолько маленькими, что из одного карата алмаза можно изготовить более миллиона таких элементов. Но, не волнуйтесь, любители бриллиантов и украшений с алмазами, пленки для алмазных электронных устройств делаются из метана и водорода с использованием химического процесса осаждения из парообразной формы, который широко используется в микроэлектронной промышленности для других целей.

Эта форма искусственного алмаза стоит приблизительно в тысячу раз меньше, чем ювелирные алмазы. Поэтому, по стоимости производства алмазные электронные устройства будут вполне сопоставимы с обычными кремниевыми устройствами.