Ученые из Института Микроэлектроники Академии Наук Китая (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) успешно изготовили первое в Китае наноустройство –полевой транзистор на наностержнях оксида цинка (ZnO).

ZnO – исключительно интересный, мультифункциональный материал и к тому же полупроводник, имеющий широкую запрещённую зону. Наноматериалы из ZnO, такие, как нанопровода, наностержни, наноленты, нанокольца, привлекают большое внимание исследователей со всего мира, поскольку обладают уникальными оптическими, полупроводниковыми и пьезоэлектрическими свойствами. Китайские ученые сосредоточили свои интересы, в основном, в области выращивания наноматериалов и разработке диодов на их основе.

Первый китайский полевой транзистор на наностержнях ZnO

Исследовательская группа из Института Микроэлектроники, возглавляемая проф. Занг Хейинг (Prof. Zhang Haiying), предложила оригинальную технологию известного вида «боттом-ап» («bottom-up») для дизайна и разработки нанотехнологических устройств. Применив методы традиционной контактной фотолитографии, китайские ученые использовали наностержни из ZnO в качестве материала для канала транзистора и изготовили полевой транзистор типа металл-оксид-полупроводник с оксидным истоком и металлическим стоком. Транзистор показал результаты, удовлетворившие разработчиков.

Как следующий шаг, проф. Занг и ее коллеги намерены усовершенствовать технологию изготовления полевого транзистора. Для этого они предполагают вырастить и использовать нанопроволоку еще меньшего, чем у наностержней, диаметра в качестве канала. По их мнению это позволит улучшить показатели и решить некоторые проблемы практического применения наноустройств.

Евгений Биргер