Как известно, электроника космических кораблей и спутников подвергается постоянному воздействию ионизирующей радиации и высокоэнергетических космических лучей.

Как следствие – изготовить ее довольно трудно, и стоит это недешево. Однако недавнее открытие, сделанное международной командой ученых, позволит существенно снизить стоимость «космической электроники», повысив ее защищенность от космических лучей.

Нитрид галлия (GaN)  – многообещающий полупроводниковый наноматериал для электроники, так как полупроводниковые структуры на его основе устойчивы к ионизирующей радиации.

Как установили ученые из Молдовы, России и США, нанотехнологически модифицированный нитрид галлия может похвастаться еще более высокой устойчивостью к ионизирующему излучению.

Как сообщает Nanotechweb, Йон Тигиняну из Академии Наук Молдовы и его коллеги из Института Ядерных Исследований России обработали пластину GaN мощным ультрафиолетовым излучением в среде гидрооксида калия.

Рис. 1. Нанопирамидки на поверхности GaN – СТМ-фотография

В результате на поверхности образовалась матрица нанопирамидок, которая позволила GaN-наноструктуре выдерживать вдесятеро большую ионизирующую радиацию!

Эксперименты ученые проводили с 85 и 130 -МэВ ионами на циклотроне в Лаборатории Ядерных Реакций в г. Дубны.

Как полагает Йон и его коллеги, новый материал позволит делать различные электронные приборы для их использования в экстремальных условиях. Например, датчики и электронику спутников и приборы другой аэрокосмической техники.