В НОЦ ФИАН-МИЭТ разработана новая технология создания быстродействующих интегральных схем

Сотрудники НОЦ «Квантовые приборы и нанотехнологии» ФИАН и МИЭТ разработали технологию получения быстродействующей электронной компонентной базы нового поколения на основе квантовых эффектов резонансного туннелирования

.

Речь идет о технологии монолитной планарной интеграции резонансно-туннельных диодов, полевых транзисторов и диодов Шоттки. Она позволяет существенно увеличить быстродействие, снизить количество активных элементов цифровых интегральных схем и полностью совместима со стандартной технологией арсенид-галлиевых интегральных схем.

• Новая технология разработана в рамках направления квантово-классических интегральных схем, развиваемого сотрудниками НОЦ «Квантовые приборы и нанотехнологии» ФИАН-МИЭТ под руководством академика Юрия Васильевича Копаева и члена-корреспондента Александра Алексеевича Горбацевича. Это направление подразумевает, что электронные приборы, работающие на классических физических принципах, – например, транзистры и диоды – будут монолитно интегрированы с приборами, построенными на квантовых принципах резонансного туннелирования, – резонансно-туннельными диодами, сверхрешётками.

Схемы на функционально интегрированных элементах резонансно-туннельный диод/транзистор могут быть спроектированы с меньшим количеством компонентов, обладать более высоким быстродействием и меньшей потребляемой мощностью, чем схемы на транзисторах. Исследования по функциональной интеграции резонансно-туннельных диодов, полевых транзисторов и диодов Шоттки требуют разработки всего комплекса технологических и метрологических методов и устройств, обеспечивающих выращивание гетероструктур на основе GaAs высокого качества с непрерывным контролем поверхности роста и последующее изготовление интегральных схем на их основе.

• В НОЦ ФИАН-МИЭТ созданы первые опытные образцы базовых элементов цифровых интегральных схем – инвертора и компаратора.

http://www.i-mash.ru/…ologija.html

Подробнее см. здесь