НАЛАЖЕН ВЫПУСК НОВОЙ МОДИФИКАЦИИ СТМ «УМКА»

В московском Институте нанотехнологий МФК, являющегося научно-техническим ядром Концерна «Наноиндустрия», осуществлена модернизация базовой модели сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) «Умка», предназначенного для исследования материалов на атомно-молекулярном уровне методами сканирующей туннельной микроскопии

НТК «УМКА» с ноутбуком

Новая модификация СТМ соединила в себе возможность исследования в воздушной атмосфере как проводящих, так и слабопроводящих образцов веществ и материалов, получая при этом сканы с атомно-молекулярным разрешением. Расширены и функциональные возможности СТМ.

• Будучи достаточно доступным по стоимости, СТМ «Умка» предназначен для широкого применения по специализации «Нанотехнологии» в системе образования и подготовки профессиональных кадров, при проведении научных исследований и демонстрационных работ, а также в системах проверки качества на высокотехнологичных предприятиях .

Институт нанотехнологий МФК специализируется в сфере разработки и производства специализированного лабораторного оборудования с 1996г. Линейка выпускаемого им оборудования включает, помимо нанотехнологических комплексов на базе СТМ «Умка», установку для заточки зондов СТМ, спектральный эллипсометр (спектроэллипсометр) «Эльф», а также машину трения МТУ-1.

Балашова И.E.

http://www.nanometer.ru/…_163474.html

ЛАБОРАТОРНЫЙ НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС НА БАЗЕ СКАНИРУЮЩЕГО ТУННЕЛЬНОГО МИКРОСКОПА «УМКА»

Лабораторный нанотехнологический комплекс на базе сканирующего туннельного микроскопа «УМКА» (НТК «УМКА») является прекрасным инструментом для обучения современным практическим методам работы с наноразмерными структурами. Комплекс с успехом используется в университетских и научных лабораториях для исследований в области физики, химии, биологии, медицины, материаловедения и других фундаментальных и прикладных наук, а также может применяться в системах контроля высокотехнологичных промышленных предприятий.

Входящий в состав комплекса сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) «Умка» обеспечивает в атмосферных условиях изучение объектов и получение с атомарнымым разрешением чётких 2D- и 3D – изображений поверхностей проводящих и слабопроводящих (в т.ч. биологических) образцов методами сканирующей туннельной микроскопии.

• НТК позволяет измерять все типы дифференциальных спектров: dI/dU, dI/dH, dH/dU, а реализованные алгоритмы обработки данных – определять амплитуду и сдвиг фаз между измеряемыми каналами. Все это дает возможность использовать комплекс при изучении коррозии в том числе и гетерогенных материалов, позволяя четко определять структуру «зерен» разного состава, исследовать композитные материалы, различать зоны с разным типом проводимости и уровнем легирования в полупроводниках.

ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ НТК «УМКА»

• определение топологии поверхности образцов с атомарным разрешением;
• определение работы выхода и импеданса;
• определение примесей в исследуемом материале;
• определение вольт-амперных, вольт-высотных и дифференциальных характеристик материала;
• определение типа проводимости материала, анализ структур проводящих и магнитных образцов на атомно-молекулярном уровне;
• измерение параметров профиля (шероховатость, размер включений и наночастиц);
• фильтрация отсканированных изображений, получение топологии поверхности образцов в виде чётких изображений;
• оценка длительного внешнего воздействия на образцы в режиме реального времени (in siti) ( определение коррозионной устойчивости, радиационного воздействия и т.д.).

Кроме того, «УМКА» позволяет выполнять работы, требующие определение характеристик материалов и сред на атомно-молекулярном уровне и их анализ (в частности, анализ состояния покрытий и поверхностей обработанных деталей; для исследования электропроводящих поверхностей и т.п.)

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

• Разрешение атомарное, молекулярное
• Размер образца (мм) 8 х 8 х (0,5…4,0)*
• Поле сканирования (мкм) 5 х 5 ± 3
• Шаг сканирования в плоскости образца в полном поле/ в режиме 1:10, (нм) 0,08/0,008
• Диапазон высот (мкм) 1± 0,2
• Шаг измерения по вертикали (нм), не хуже <0,02

Ш у м ы:

по X и Y:

• в полном поле 0,15 нм
• в режиме 1:10 0,02 нм

по Z 0,04 нм

У с т а н а в л и в а е м ы е п а р а м е т р ы:

• напряжение на туннельном зазоре (В) 0 ± 2,3
• туннельный ток (пА) 1…1500; 60 … 5000*

Шаг задания (измерения) напряжение туннельного зазора (мВ) 0,04

П а р а м е т р ы с и г н а л а д л я м о д у л я ц и и т у н н е л ь н о г о п р о м е ж у т к а:

• форма сигнала Произвольная программно задаваемая
• частота (кГц) 10 … 100
• глубина модуляции (пм) ± (1…100)

Время сканирования кадра 3*3 нм с атомарным разрешением, не более < 7 сек

Время сканирования кадра 5*5 мкм, не более < 4 мин

Время выхода системы на рабочий режим, не более <2 мин

Р е ж и м ы р а б о т ы:

• режим сканирования по постоянному току;
• режим сканирования с постоянной высотой;
• режим измерения вольт-амперной характеристики поверхности.

*) Параметры могут изменяться по согласованию с заказчиком для слабопроводящих и проводящих объектов

http://www.nanotech.ru/cn/r/tech8.php