Новый метод нанолитографии: «атомарная» камера-обскура уменьшает объект до наноразмеров
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Физики из Института спектроскопии РАН и Московского физико-технического института предложили совершенно новую технологию создания уменьшенных (наноразмерных) изображений микрометровых объектов на подложке из полупроводникового материала.
Результаты работы опубликованы в журнале Nanotechnology (Nanolithography based on an atom pinhole camera).
Минимальный размер элементов полученных авторами наноструктур составляет 30 нм, что соответствует уменьшению габаритов оригинала в 10 тысяч раз.
В основе предложенного метода лежит принцип простейшего из устройств для получения оптического изображения объектов – камеры-обскуры. В данном случае вместо потока квантов света используют пучок атомов индия или серебра, а вместо экрана используется кремниевая подложка. Отверстия камеры (в общем случае их может быть сколь угодно много; каждое создает свое изображение, благодаря чему можно одновременно получать большое количество наноструктур) формировались в пленке нитрида кремния Si3N4 толщиной 50 нм путем обработки ионным пучком.
По словам ученых, новая технология может применяться для создания наноструктур из разнообразных «строительных материалов» (атомов, молекул, кластеров) на подложках разного состава.
Получение массива идентичных наноструктур с помощью камеры-обскуры. В колонке (а) расположены изображения мембран с диаметрами отверстий 2S = 200 нм (1), 100 нм (2) и 50 нм (3). В колонку (b) сгруппированы изображения соответствующих наноструктур, образованных атомами индия на кремниевой подложке, а в колонке (с) представлены увеличенные изображения этих наноструктур. (Иллюстрация из научной публикации)
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев