Сводная команда Манчестерского и Шаньдунского университетов объявила о создании тонкопленочного нанотранзистора, который стал первым устройством на базе оксидных полупроводников, способным работать на частоте более 1 ГГц.

Тонкоплёночные транзисторы (TFT) используются в современных ЖК-дисплеях, где действуют в качестве индивидуальных быстродействующих коммутаторов, переключающих состояния пикселей. Но большинство TFT основаны на кремнии, который непрозрачен и стоит дороже, чем оксидные полупроводники, а также не обладает присущей им гибкостью, которая делает новые транзисторы идеальными для носимой электроники.

«Создание высокопроизводительного устройства, такого как наш гигагерцевый IGZO-транзистор, представляет большую сложность, потому что нужно не только оптимизировать материалы, но также исследовать ряд вопросов, касающихся дизайна устройства, его изготовления и тестирования.

В 2015 г. мы смогли продемонстрировать самые быстрые гибкие диоды с использованием оксидных полупроводников, достигающие частоты 6,3 ГГц, и до сих пор это мировой рекорд. Поэтому мы уверены в перспективах технологий на основе оксидных полупроводников», – пояснил Айминь Сун (Aimin Song), профессор наноэлектроники в Инженерной электротехнической школе Манчестерского университета.

Технологии оксидных полупроводников прогрессируют более быстрыми темпами, чем кремниевые, и уже начали замещать аморфный кремний в некоторых гаджетах.

Новое достижение команды профессора Суна, по его словам, делает ещё более близким коммерческое внедрение оксидных TFT: в гибких дисплеях с улучшенным качеством картинки, в умных больницах, домах и городах.