Создана новая композитная структура для высокоплотной магнитной памяти

Команда ученых из Университета Пердью, Национальных Лабораторий Сандиа и Лос-Аламоса и ряда других организаций разработала многослойную структуру, позволяющую уменьшить размеры и увеличить надёжность компьютеров, смартфонов и прочих устройств, использующих в своей работе запись цифровых данных.

С помощью лазерного напыления они вырастили на подложке SrTiO3 (STO) систему вертикально чередующихся нанокомпозитных слоёв. Эти прослойки микрометровой толщины демонстрируют сильное вертикальное (перпендикулярное) магнитное взаимодействие.

Контролируя состав слоёв нанокомпозитов, определяющий плотность, степень структурной нагрузки и магнитный фазовый переход, можно настраивать каждый из материалов на состояние максимальной чувствительности, что важно для обеспечения стабильности магнитных устройств.

Эта новая архитектура, представленная в статье журнала Nanoscale, может найти применение в высокоплотных запоминающих устройствах и головках чтения-записи жёстких дисков, как более компактная, стабильная и высокопроизводительная альтернатива традиционным планарным технологиям.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.5 (2 votes)
Источник(и):

ko.com.ua