Создан прототип памяти на ферроэлектрических доменных стенках

Ферроэлектрические доменные стенки это топологические дефекты атомарной толщины, которые разграничивают области с однородной поляризацией (домены). Открытие электрической проводимости в особых типах стенок создало предпосылки для «наноэлектроники доменных стен» — технологии, которая предполагает хранение информации не в доменах, а в их границах.

Используя напечатанные методом нанолитографии на тонкой пленке BiFeO3 платиновые и титановые электроды, команда исследователей из Австралии, США и Китая создала функциональный прототип энергонезависимой памяти на реконфигурируемых доменных стенках.

В экспериментах, о которых рассказывается в статье для журнала Science Advances, минимальный размер ячейки памяти составлял менее 100 нм, а её двоичное состояние определялось наличием или отсутствием проводящих стенок. В принципе же возможно уменьшение габаритов ячеек примерно до 1 нм, что на порядок меньше детализации современных структур КМОП.

n374f9390v.jpg

Прототип обеспечивал неразрушимое считывание записанных данных с использованием невысокого напряжения (менее 3 В), демонстрировал относительно высокие соотношения OFF-ON (~103), отличные характеристики циклической и долговременной стабильности и возможности многоуровневого хранения.

Пожалуйста, оцените статью:
Пока нет голосов
Источник(и):

ko.com.ua