Физики из университета Квинс в Белфасте (Северная Ирландия), доктор Реймонд Макквэйд (Raymond McQuaid), доктор Амит Кумар (Amit Kumar) и профессор Марти Грегг (Marty Gregg), нашли способ создания чрезвычайно тонких электропроводящих слоев внутри кристаллического материала.

Эти слои (доменные стенки) почти такие же тонкие как графен, в толщину они состоят всего из нескольких атомов, при этом они могут возникать, исчезать и перемещаться внутри кристалла, не внося постоянных изменений в его структуру.

Команда из Квинса продемонстрировала, что кристаллы минерала борацита (борат меди с хлором) могут иметь прямые проводящие стенки с длиной сотни микрон и толщиной всего несколько нанометров. Давление острия иглы на поверхность кристалла приводит к взаимному смещению доменов с возникновением проводящих стенок на некоторых из их интерфейсов.

Ученые также показали, что движением этих стенок можно управлять с помощью внешних электрических полей, что даёт совместимость с более традиционными электронными устройствами.

Вместе эти два результата, представленные в статье для журнала Nature Communications, указывают на возможность использования проводящих стенок в переконфигурируемой наноэлектронике. Как отмечает профессор Грегг, гипотетические электронные устройства на основе таких доменных стенок можно создавать, когда в них возникает необходимость, а затем уничтожать, либо динамически изменять для выполнения других функций.