Впервые в мире, в Университете Тохоку (Япония) успешно разработали технологию, которая позволяет размещать магнитные туннельные переходы (Magnetic Tunnel Junctions, MTJ) прямо в вертикальных соединительных отверстиях (Vertical Interconnect Access, VIA) без ухудшения их электрических и магнитных характеристик. VIA это небольшие дырки, через которые проходят проводники, соединяющие между собой разные уровни полупроводниковой схемы.

Новое достижение особенно важно, так как позволяет уменьшить размеры чипов магниторезистивной памяти с переносом спинового момента, STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory), делая ее более практичной с коммерческой точки зрения и более конкурентоспособной по отношению к DRAM.

Результаты этого исследования команды под руководством профессора Тетсуо Эндо (Tetsuo Endoh) , директора Центра инновационных интегрированных электронных систем (CIES), представлены 16 мая во Франции на семинаре IEEE International Memory Workshop.

Группа Эндо разработала особую технику полировки, чтобы предотвратить любые взаимодействия между MTJ и его нижним электродом. Результативность такого решения была проверена изготовлением тестовых чипов, включая 2-мегабитовое устройство STT-MRAM, содержащее свыше миллиона магнитных туннельных переходов.

«Опытный чип не только продемонстрировал 70%-е улучшение выхода годных битов памяти по сравнению со стандартной STT-MRAM, но и площадь запоминающих ячеек сократилась на 30%, — сообщил Эндо. — Это может быть очень эффективно для уменьшения площади чипов MRAM».