Графеновую схему написали с помощью ионной ручки

Уникальные электрические свойства графена соблазнили ученых на прогноз будущих интегральных схем.

Такие схемы сделаны из листов в 1 атом толщиной, однако коммерциализации технологии препятствует сразу множество преград.

Ученые из университета Флориды решили выяснить, как надежно производить графен в больших масштабах.

Ученые разработали многообещающую новую технологию для создания образцов графена на вершине карбида кремния. Он включает кремний и углерод, но при высокой температуре (около 1300 градусов по Цельсию) атомы кремния испаряются с поверхности, оставив атомы углерода, которые превратятся в листы чистого графена.

Исследователи и ранее использовали эту температурную технологию для создания больших графеновых листов, на которые затем наносили тонкий слой металла для соответствия требованиям устройств. Процесс нанесения может ввести дефекты или химические загрязнители, которые сокращают драгоценную электронную мобильность графена.

Технология ученых из университета Флориды позволила ограничить рост графена до определенного образца размером 20 нанометров. Ученые установили, что внедрение в карбид кремния золотые или кремниевые ионы снижет температуру формирования графена на 100 градусов по Цельсию.

Ученые внедрили ионы только там, где необходим графеновый слой, а затем нагрели карбид кремния до 1200 градусов. На участках чистого карбида кремния графен не сформировался, а там, где были внедрены ионы, ученые получили графеновые области.

С помощью данной технологии ученые успешно создали графеновые нанорешетки.

Результат опубликован в издании Applied Physics Letters.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (5 votes)
Источник(и):

Новости мира инноваций