В конце февраля группа технологов-разработчиков НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУР завершила работу по созданию гетероструктурного транзистора на арсениде галлия, отвечающего мировым стандартам.

Над созданием транзистора работали аспиранты ТУСУР под руководством Екатерины Валентиновны Анищенко, научный руководитель группы – Валерий Алексеевич Кагадей, – рассказывает Леонид Иванович Бабак, заместитель директора НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУР. – Транзистор на базе арсенида галлия изготовлен по самой современной гетероструктурной технологии и имеет топологический размер около 100 нанометров, что отвечает мировым стандартам. Перед группой технологов-разработчиков стояла очень сложная задача, ведь подобного рода технологические операции подробно в литературе не описываются. Все фирмы-производители строго хранят секреты производства не только потому, что это их ноу-хау, но и потому, что существуют ограничения на государственном уровне. Так, развитые страны отказываются продавать не только технологию производства подобных гетероструктурных транзисторов, но часто и сами устройства, поскольку они применяются и в военных целях. Тем не менее, наши сотрудники справились с поставленной задачей и такой транзистор теперь у нас есть.

Измерения в НОЦ «Нанотехнологии» показали, что транзистор обладает хорошими параметрами и может усиливать сигналы с частотами до 100 Гигагерц и выше. Гетероструктурные транзисторы являются основным элементом наиболее распространенных изделий СВЧ-наноэлектроники – СВЧ монолитных интегральных схем. В свою очередь, такие интегральные схемы позволяют создать качественно новые радиоэлектронные и телекоммуникационные системы различного назначения.

Следующий этап работы над гетероструктурным транзистором состоит в том, чтобы оптимизировать его конструкцию и добиться повторяемости процесса. После этого можно будет поставить технологию транзисторов на поток и начать опытное производство СВЧ интегральных схем на их основе. Интегральные схемы мирового уровня будут производиться совместно с известной фирмой «Микран».

СВЧ-наноэлектроника – одно из приоритетных научных направлений развития ТУСУР. Изделия СВЧ-наноэлектроники уже применяются и будут все более широко применяться в системах космической, спутниковой и мобильной связи, высокоскоростном Интернете, телевидении высокой четкости, СВЧ-радиометрии, глобальной навигации, радиолокации, авионике, электронных средствах вооружений, устройствах для борьбы с терроризмом. Разработка ученых ТУСУР является значительным шагом вперед в развитии отечественной СВЧ-наноэлектроники.

У НОЦ «Нанотехнологии» уже есть опыт создания интегральных схем – совместно с Институтом СВЧ полупроводниковой электроники РАН по проекту томичей в январе 2010 был изготовлен первый в России усилитель мощности миллиметрового диапазона волн.

НОЦ «Нанотехнологии» основан в 2008 году для подготовки кадров высшей квалификации и проведения научных исследований в области СВЧ-наноэлектроники и нанотехнологий. Работы по созданию НОЦ финансировались за счет средств Федеральной целевой программы «Развитие инфраструктуры наноиндустрии на 2008–2010 годы», размер гранта составил 129,5 млн рублей.

Партнерами НОЦ «Нанотехнологии» являются НПФ «Микран» (Томск), Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН (Москва), Исследовательский институт СВЧ и оптической связи XLIM при Лиможском университете (Франция), Французское космическое агентство CNES, Голландский астрономический центр ASTRON.