РОСНАНО проинвестирует производство высокотехнологического оборудования

Инфраструктурный проект по производству технологического оборудования для молекулярно-пучковой эпитаксии и планарного процессинга одобрен наблюдательным советом РОСНАНО. Общий бюджет проекта оценивается в 630 млн. рублей, из них инвестиции РОСНАНО — до 140 млн. рублей.

Инвестиции получит компания-заявитель «Научное и технологическое оборудование», которая под брендом SemiTEq выпускает сверхвысоковакуумное оборудование для НИОКР и мелкосерийного производства в области нанотехнологий и наноэлектроники, полупроводниковой микро- и оптоэлектроники.

Реализация проекта приведет к расширению производства существующих и выпуску новых видов оборудования для некремниевой электроники, в том числе первых отечественных производственных установок для молекулярно-пучковой эпитаксии. Проект также предусматривает выпуск производственного оборудования для электронно-лучевого напыления, плазмохимического травления, термической обработки и производство исследовательских комплексов «Нанолаборатория».

Установки, производимые проектной компанией, позволяют получать полупроводниковые материалы (эпитаксиальные гетероструктуры) с качественно новыми характеристиками. На основе подобных гетероструктур изготавливаются светодиоды, лазеры, солнечные элементы, транзисторы, сенсоры и другая инновационная продукция.

Это яркий пример инфраструктурного проекта. Его реализация поддержит развитие отечественной микроэлектроники, оптоэлектроники, солнечной энергетики, коммуникаций и других высокотехнологичных отраслей, — подчеркивает управляющий директор по инфраструктурной деятельности РОСНАНО Евгений Евдокимов. — Проект прежде всего рассчитан на спрос со стороны внутреннего рынка, но благодаря высоким техническим характеристикам и конкурентной цене оборудование SemiTEq будет востребовано и на мировом рынке. К 2015 году планируемая экспортная выручка будет составлять около 25% от общих продаж».


Компания «Научное и технологическое оборудование» специализируется на разработке и производстве высокотехнологичного сверхвысоковакуумного оборудования для научных исследований, опытно-конструкторских разработок и мелкосерийного производства в области нанотехнологий и наноэлектроники, полупроводниковой микро- и оптоэлектроники. В разработке оборудования компания опирается на собственный опыт проведения НИОКР в области полупроводниковых технологий, позволяющий оптимизировать выработку технических требований к разрабатываемому технологическому оборудованию. Центральным продуктом компании являются установки молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) для различных систем полупроводниковых материалов. Зарегистрированная торговая марка компании — SemiTEq. Дополнительную информацию можно получить на сайте www.semiteq.ru


Справка: метод молекулярно-пучковой эпитаксии

epitaxy.JPG

Технология молекулярно-пучковой (ее называют также молекулярно-лучевой) эпитаксии позволяет наносить на поверхность подложки (например, из кремния, сапфира или арсенида галлия) слои различных полупроводниковых и диэлектрических материалов толщиной вплоть до одного атомного слоя. Эти вещества нагреваются в испарительных ячейках установки для эпитаксии. Пучок испарившихся молекул направляется на подложку, где оседает тонким слоем определенного состава. Так, шаг за шагом, можно выращивать многослойную структуру, в которой чередуются материалы с разными свойствами — например, с разным типом проводимости, разной шириной запрещенной зоны. Процесс роста проводится в глубоком вакууме — посторонние молекулы могут привести к искажению свойств создаваемой структуры.

В результате получаются гетероструктуры — новые материалы с необычными свойствами, существование которых было предсказано в начале 60-х годов академиком Леонидом Келдышем. Поскольку с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии удается получать сверхтонкие слои толщиной всего в несколько атомов, в материале проявляются квантово-механические эффекты, которые меняют его оптические и электрические свойства.

Технология молекулярно-лучевой эпитаксии — одна из первых революционных технологий, которая позволила управлять структурой вещества на наноуровне, создавая материалы с необычными и полезными свойствами.

Молекулярно-лучевая эпитаксия открывает путь к принципиально новой электронике, сверхбыстрым компьютерам, или, например, солнечным батареям со значительно более высоким КПД, новым оптическим устройствам для телекоммуникаций и другим приложениям.

В 2009 году Международная премия в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE-2009 в номинации «Наноэлектроника» присуждена за работы в области молекулярно-пучковой эпитаксии: академику Леониду Келдышу (Россия) за теоретические исследования структур и эффектов, широко используемых в молекулярно-пучковой эпитаксии и профессору Альфреду И Чо (США) за исследования и разработку технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, необходимой для получения наногетероструктур и их применения в наноэлектронике, а также компании RIBER S.A. (Франция) за разработку оборудования для молекулярно-лучевой эпитаксии.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.7 (3 votes)


Категории статьи