Длина затвора алмазного транзистора, изготовленного группой ученых из Университета Глазго (University of Glasgow), Шотландия, составляет всего 50 нм, что в 1000 раз меньше, чем толщина человеческого волоса и в 2 раза меньше, чем размеры предыдущего «рекордсмена мира» производства японской фирмы NTT.

Алмаз в настоящее время рассматривается как идеальный материал для создания следующего поколения наноразмерных электронных компонентов благодаря совершенно уникальным свойствам. У традиционных материалов – кремния, арсенида галлия – есть свои сильные и слабые стороны, в то время как алмаз практически универсален, как считает д-р Дэвид Моран (David Moran), руководивший работами по разработке транзистора.

Затвор транзистора (секция в середине), разработанный группой д-ра Морана, всего 50 нм длиной, (изображение: авторов работы).

Алмазные транзисторы должны найти широкое применение, например, в устройствах медицинских томографов терагерцового диапазона, в системах безопасности автомобилей и т.д. По мнению д-ра Морана для развития таких технологий необходимы быстрые и мощные транзисторы, сохраняющие работоспособность в неблагоприятных погодных и температурных условиях. Конкурировать по совокупности параметров с алмазными транзисторами не может ни один существующий элемент.

Исходный материал для создания транзистора был выращен специалистами английской компании Element 6 методом химического осаждения из паровой фазы. Для формирования структуры транзистора на поверхности алмазной пленки использовалась технология электронно-лучевой литографии.

Евгений Биргер